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典型 (在500 mm的50 %时) ≤ 30 ppm/K3ED广州南创电子科技有限公司
重复精度 ±5 µm 3ED广州南创电子科技有限公司
工作电压 20.0...28.0 V 3ED广州南创电子科技有限公司
用于动态规则应用 No 3ED广州南创电子科技有限公司
短路保护 对地，对36 V DC 3ED广州南创电子科技有限公司
反极性保护 36 V 3ED广州南创电子科技有限公司
保护管材料 不锈钢1.4571 3ED广州南创电子科技有限公司
防护等级符合IEC 60529 IP67 (带插接器) 3ED广州南创电子科技有限公司
位置传感器数，出厂设置 1 ST3ED广州南创电子科技有限公司
电气特征关闭编程输入端 20 … 28 V DC, High-active 接口 插接器, M16 3ED广州南创电子科技有限公司
仓储温度，低 100 °C 3ED广州南创电子科技有限公司
电缆/插头出线 轴向3ED广州南创电子科技有限公司
固定方式 螺纹法兰M18x1.5 3ED广州南创电子科技有限公司
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德国巴鲁夫balluff磁致伸缩位移传感器BTL5-S101B-M0300-K-SR32电路设计是传感器性能是否优越的关键因素，由于传感器输出端都是很微小的信号，巴鲁夫balluff电子尺BTL5-S101-M0700-B-S32如果因为噪声导致有用的信号被淹没，那就得不偿失了，所以加强传感器电路的抗干扰设计尤为重要。在这之前，我们必须了解传感器电路噪声的来源，以便找出更好的方法来降低噪声。总的来说，传感器电路噪声主要有一下七种：balluffBTL5-S101B-M0300-K-SR32位移传感器低频噪声低频噪声主要是由于内部的导电微粒不连续造成的。特别是碳膜电阻，其碳质材料内部存在许多微小颗粒，颗粒之间是不连续的，在电流流过时，会使电阻的导电率发生变化引起电流的变化，产生类似接触不良的闪爆电弧。另外，BTL5-S101-M0700-B-S32电子尺晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂程度有关。半导体器件产生的散粒噪声由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，巴鲁夫BTL5-S101-M0050-B-DEXB-K05 BTL5-S101-M0050-B-DEXB-K20 BTL5-S101-M0075-B-DEXB-K20磁致伸缩位移传感器从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这BTL5-S101B-M0300-K-SR32 BTL5-S101-M0700-B-S32电子尺balluff种变化会引起流过势垒区的电流产生微小波动，从而产生电流噪声。其产生噪声的大小与温度、频带宽度△f成正比。3ED广州南创电子科技有限公司
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